NT1819NAAE2S は吸収型の高アイソレーションSPDTスイッチです。5G セルラー通信基地局などの用途に最適です。本製品は端子間の高アイソレーションを特長としており、3.85 GHz にて60 dB、かつ7.125 GHz にて50 dB の端子間アイソレーションを実現しています。回路及び素子間に高アイソレーションを必要する通信方式に対応可能です。NT1819NAAE2S はP1 端子、P2 端子は未使用時に50Ωで終端されるため、回路接続時の不整合を防ぐことが可能です。パッケージは小型の3 x 3 mm QFN3030-16-NA を採用しており、実装面積の削減に貢献します。

アプリケーション

• セルラー通信基地局(スモールセル、マクロセル等)
• その他無線通信向け高周波信号切替用途